ENJ2005-C晶體管圖示儀
系統(tǒng)特征：
● IV曲線顯示/局部放大
● 程序保護(hù)電流/電壓,以損壞
● 品種繁多的曲線
● 可編程的數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)
● 增加線性或?qū)?shù)
● 可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱
● 保存和重新導(dǎo)入入口程序
● 保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象
● 曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL
● 曲線程序和數(shù)據(jù)自動(dòng)存入EXCEL
● 測(cè)試范圍廣（19大類、27分類）
曲線測(cè)試：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE tt）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
測(cè)試參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、IC、IGF、IGR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVC(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù)：hFE、R、gFS
導(dǎo)通參數(shù)：VCAT、VBAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數(shù)：IL
配置規(guī)格：
配置 | 規(guī)格/環(huán)境 | ||
主電壓 | 1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280（mm） |
電壓分辨率 | 1mV | 質(zhì) 量 | 35kg |
主電流 | 0.1nA-50A | 工作電壓 | 200V-240V |
擴(kuò)展電流 | 100A | 電源頻率 | 47Hz-63Hz |
電流分辨率 | 0.1nA | 工作溫度 | 25℃-40℃ |
測(cè)試 | 0.2%+2L | 通信接口 | RS232 U |
測(cè)試速度 | 0.5mS/參數(shù) | 系統(tǒng)功耗 | <150w |
測(cè)試范圍：
01 | 二管 / DIODE |
02 | 晶體管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型場(chǎng)效應(yīng)管 / J-FET |
04 | MOS場(chǎng)效應(yīng)管 / MOS-FET |
05 | 雙向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 緣柵雙大功率晶體管 / IGBT |
08 | 硅觸發(fā)可控硅 / STS |
09 | 達(dá)林頓陣列 / DARLINTON |
10 | 光電耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 繼電器 / RELAY |
12 | 穩(wěn)壓、齊納二管 / ZENER |
13 | 三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR |
14 | 光電開關(guān) / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大類27分類 | |
