- 品牌/商標(biāo)：plasmatherm
- 企業(yè)類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：美國
ICPPECVD HDPECVD 高密度等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 超低溫沉積
成熟的技術(shù)，龐大的裝機(jī)量，是VLSI（標(biāo)準(zhǔn)樣片公司）供應(yīng)商。有單腔手動(dòng)方片。性價(jià)比很高。特別適合高校和研究單位。
ICP-PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等。可選用射頻（RF）、空陰極高密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。該公司采用先進(jìn)技術(shù)和穩(wěn)定可靠的設(shè)計(jì)為您提供多方位的服務(wù)。
伴隨高品質(zhì)的二氧化硅和氮化硅沉積速率，PECVD硬件進(jìn)一步演變，相應(yīng)的減少清機(jī)時(shí)間成本。
? ICP系統(tǒng)改善了刻蝕率和線寬操控功能。
? 增強(qiáng)了控制系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施，具有更好的分析、可靠性和可維護(hù)性。
配置的系統(tǒng)，既可以作為獨(dú)立腔體模塊，也可以多腔配置。
“正常運(yùn)行時(shí)間超過90%，這個(gè)數(shù)據(jù)證明了我們?cè)O(shè)備的技術(shù)和自動(dòng)化在業(yè)內(nèi)處于地位，”，“此新產(chǎn)品做到真正的改進(jìn)，具有良好的均勻性，并在應(yīng)用范圍內(nèi)提供高產(chǎn)能程序。我們擁有6000多個(gè)工藝參數(shù)。
